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ICP-AES、ICP-OES、ICP-MS、AAS區(qū)別?
  • 發(fā)布日期:2019-11-12      瀏覽次數(shù):4268
    •   概念區(qū)別

        首先,先說簡(jiǎn)單區(qū)分的ICP-AES與ICP-OES

        OES - Optical Emission SpectrometryAES - Atomic Emission Spectrometry兩者都是電感耦合等離子體發(fā)射光譜法,只是不同時(shí)期的叫法不同。

        由于等離子發(fā)射光譜技術(shù)中不僅選用原子譜線而且更多地采用離子譜線因而稱ICP-OES更為科學(xué)準(zhǔn)確。

        其次,是ICP-OES和ICP-MS

        對(duì)于擁有ICP-OES技術(shù)背景的人來講,ICP-MS是一個(gè)以質(zhì)譜儀作為檢測(cè)器的等離子體(ICP),而質(zhì)譜學(xué)家則認(rèn)為ICP-MS是一個(gè)以ICP為源的質(zhì)譜儀。

        事實(shí)上,ICP-OES和ICP-MS的進(jìn)樣部分及等離子體是及其相似的。ICP-OES測(cè)量的是光學(xué)光譜(165~800nm),ICP-MS測(cè)量的是離子質(zhì)譜,提供在3~250 amu范圍內(nèi)每一個(gè)原子質(zhì)量單位(amu)的信息,因此,ICP-MS除了元素含量測(cè)定外,還可測(cè)量同位素。

        后,AAS、ICP-MS

        AAS是原子吸收光譜,因?yàn)橹焕迷庸庾V中單色光照射,所以只能檢測(cè)一種元素的含量,不過檢測(cè)限比較低而且重現(xiàn)性比較好。ICP-OES是原子發(fā)射光譜,檢測(cè)原子光譜中的多條譜線,檢測(cè)限也比較低,而且多通道的可以同時(shí)檢測(cè)多種原子和離子。比較方便,重現(xiàn)性也不錯(cuò)。ICP-MS是ICP質(zhì)譜聯(lián)用,利用質(zhì)譜檢測(cè)同位素含量來檢測(cè)元素的含量,檢出限低,效果理想。

        性能區(qū)別

        適用范圍:AAS用于已知元素含量的檢測(cè);ICP可以用于已知,也可以用于未知,適合多元素分析;ICP-MS由于比較貴而且檢出限低,一般是用作標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量的時(shí)候。

        1、檢出限

        ICP-MS的檢出限給人極深刻的印象,其溶液的檢出限大部份為ppt級(jí)(必需記牢,實(shí)際的檢出限不可能優(yōu)于你實(shí)驗(yàn)室的清潔條件),石墨爐AAS的檢出限為亞ppb級(jí), ICP-OES大部份元素的檢出限為1~10ppb,一些元素在潔凈的試樣中也可得到令人注目的亞ppb級(jí)的檢出限。

        必須指出,ICP-MS的ppt級(jí)檢出限是針對(duì)溶液中溶解物質(zhì)很少的單純?nèi)芤憾缘?,若涉及固體中濃度的檢出限,由于ICP-MS的耐鹽量較差,ICP-MS檢出限的優(yōu)點(diǎn)會(huì)變差多達(dá)50倍,一些普通的輕元素(如S、 Ca、 Fe 、K、 Se)在ICP-MS中有嚴(yán)重的干擾,也將惡化其檢出限。

        2、干擾

        以上三種技術(shù)呈現(xiàn)了不同類型及復(fù)雜的干擾問題,為此,我們對(duì)每個(gè)技術(shù)分別予以討論。ICP-MS的干擾:質(zhì)譜干擾、基體酸干擾、雙電荷離子干擾、基體效應(yīng)、電離干擾、空間電荷效應(yīng)。ICP-OES干擾:光譜干擾、基體效應(yīng)、電離干擾。GFAAS干擾:光譜干擾、背景干擾、氣相干擾、基體效應(yīng)。

        3、容易使用度

        在日常工作中,從自動(dòng)化來講,ICP-OES是成熟的,可由技術(shù)不熟練的人員來應(yīng)用。

        ICP-MS的操作直到現(xiàn)在仍較為復(fù)雜,自1993年以來,盡管在計(jì)算機(jī)控制和智能化軟件方面有很大的進(jìn)步,但在常規(guī)分析前仍需由技術(shù)人員進(jìn)行精密調(diào)整,ICP-MS的方法研究也是很復(fù)雜及耗時(shí)的工作。

        GFAAS的常規(guī)工作雖然是比較容易的,但制定方法仍需要相當(dāng)熟練的技術(shù)。

        4、試樣中的總固體溶解量TDS

        在常規(guī)工作中,ICP-OES可分析10%TDS的溶液,甚至可以高至30%的鹽溶液。在短時(shí)期內(nèi)ICP-MS可分析0.5%的溶液,但大部分分析人員樂于采用多0.2%TDS的溶液。當(dāng)原始樣品是固體時(shí),與ICP-AES,GFAAS相比,ICP-MS需要更高倍數(shù)的稀釋,其折算到原始固體樣品中的檢出限顯示不出很大優(yōu)勢(shì)的現(xiàn)象也就不令人驚奇了。

        5、線性動(dòng)態(tài)范圍LDR

        ICP-MS具有超過105的LDR,各種方法可使其LDR開展至108,但不管如何,對(duì)ICP-MS來說:高基體濃度會(huì)導(dǎo)致許多問題,而這些問題的解決方案是稀釋,正由于這個(gè)原因,ICP-MS應(yīng)用的主要領(lǐng)域在痕量/超痕量分析。

        GFAAS的LDR限制在102~103,如選用次靈敏線可進(jìn)行高一些濃度的分析。

        ICP-OES具有105以上的LDR且抗鹽份能力強(qiáng),可進(jìn)行痕量及主量元素的測(cè)定,ICP-OES可測(cè)定的濃度高達(dá)百分含量,因此,ICP-OES外加ICP-MS,或GFAAS可以很好地滿足實(shí)驗(yàn)室的需要。

        6、精密度

        ICP-MS的短期精密度一般是1~3% RSD,這是應(yīng)用多內(nèi)標(biāo)法在常規(guī)工作中得到的。長(zhǎng)期(幾個(gè)小時(shí))精密度為小于5%RSD。使用同位素稀釋法可以得到很好的準(zhǔn)確度和精密度,但這個(gè)方法的費(fèi)用對(duì)常規(guī)分析來講是太貴了。

        ICP-OES的短期精密度一般為0.3~2%RSD,幾個(gè)小時(shí)的長(zhǎng)期精密度小于3%RSD。GFAAS的短期精密度為0.5~5%RSD,長(zhǎng)期精密度的因素不在于時(shí)間而視石墨管的使用次數(shù)而定。

        7、樣品分析能力

        ICP-MS有驚人的能力來分析大量測(cè)定痕量元素的樣品,典型的分析時(shí)間為每個(gè)樣品小于5分鐘,在某些分析情況下只需2分鐘。Consulting實(shí)驗(yàn)室認(rèn)為ICP-MS的主要優(yōu)點(diǎn)即是其分析能力。

        ICP-OES的分析速度取決于是采用全譜直讀型還是單道掃描型,每個(gè)樣品所需的時(shí)間為2或6分鐘,全譜直讀型較快,一般為2分鐘測(cè)定一個(gè)樣品。

        GFAAS的分析速度為每個(gè)樣品中每個(gè)元素需3~4分鐘,晚上可以自動(dòng)工作,這樣保證對(duì)樣品的分析能力。

        根據(jù)溶液的濃度舉例如下,以參考:

        1、每個(gè)樣品測(cè)定1~3個(gè)元素,元素濃度為亞或低于ppb級(jí),如果被測(cè)元素要求能滿足的情況下,GFAAS是合適的。2、每個(gè)樣品5~20個(gè)元素,含量為亞ppm至%,ICP-OES是合適的。3、每個(gè)樣品需測(cè)4個(gè)以上的元素,在亞ppb及ppb含量,而且樣品的量也相當(dāng)大,ICP-MS是較合適的。

        8、無人控制操作

        ICP-MS,ICP-OES,和GFAAS,由于現(xiàn)代化的自動(dòng)化設(shè)計(jì)以及使用惰性氣體的安全性,可以整夜無人看管工作。

        9、運(yùn)行的費(fèi)用

        ICP-MS開機(jī)工作的費(fèi)用要高于ICP-OES,因?yàn)镮CP-MS的一些部件有一定的使用壽命而且需要更換,這些部件包括了渦輪分子泵、取樣錐和截取錐以及檢測(cè)器。對(duì)于ICP-MS和ICP-OES來講,霧化器與炬管的壽命是相同的。

        如果實(shí)驗(yàn)室選用了ICP-OES來取代ICP-MS,那么實(shí)驗(yàn)室盡可能配備GFAAS。GFAAS應(yīng)計(jì)算其石墨管的費(fèi)用。在上述三種技術(shù)中Ar氣的費(fèi)用是一筆相當(dāng)?shù)念A(yù)算,ICP技術(shù)Ar費(fèi)用遠(yuǎn)高于GFAAS。

        附表:

        表1. ICP-MS, ICP-AES, GFAAS的簡(jiǎn)單比較

       

      ICP-MS

      ICP-OES

      Flame AAS

      GFAAS

      檢出限

      絕大部分元素非常杰出

      絕大部分元素很好

      部分元素較好

      部分元素非常杰出

      樣品分析能力

      每個(gè)樣品的所有元素2-6分鐘

      每分鐘每個(gè)樣品的5-30個(gè)元素

      每個(gè)樣品每個(gè)元素15秒

      每個(gè)樣品每個(gè)元素4分鐘

      線性動(dòng)態(tài)范圍

      108

      105

      103

      102

      精密度短期長(zhǎng)期(4小時(shí))

      1~3%< 5%使用內(nèi)標(biāo)可改善精密度

      0.3~2%< 3%

      0.1~1%

      1~5%

      干擾光(質(zhì))譜化學(xué)(基體)電離質(zhì)量效應(yīng)同位素

      少中等很少高的對(duì)低的影響?有

      多幾乎沒有很少不存在無

      幾乎沒有多有一些不存在無

      少多很少不存在無

      固體溶解量(大可容忍量)

      0.1-0.4%

      2-25%

      0.5-3%

      >20%

      可測(cè)元素?cái)?shù)

      > 75

      >73

      > 68

      >50

      樣品用量

      很多

      很少

      半定量分析

      不能

      不能

      同位素分析

      不能

      不能

      不能

      日常操作

      容易

      容易

      容易

      容易

      方法試驗(yàn)開發(fā)

      需要專業(yè)技術(shù)

      需專業(yè)技術(shù)

      容易

      需專業(yè)技術(shù)

      無人控制操作

      不能

      易燃?xì)怏w

      操作費(fèi)用

      中等

      基本費(fèi)用

      很高

      中等/高

        表2.檢出限比較

      Element

      ICP-MS

      ICP-AES

      Flame AAS

      GFAAS

      As

      <0.050

      <10

      <500

      <1

      Al

      <0.010

      <4

      <50

      <0.5

      Ba

      <0.005

      <0.2

      <50

      <1.5

      Be

      <0.050

      <0.2

      <5

      <0.05

      Bi

      <0.005

      <10

      <100

      <1

      Cd

      <0.010

      <1

      <5

      <0.03

      Ce

      <0.005

      <15

      <200000

      ND

      Co

      <0.005

      <2

      <10

      <0.5

      Cr

      <0.005

      <3

      <10

      <0.15

      Cu

      <0.010

      <2

      <5

      <0.5

      Gd

      <0.005

      <5

      <4000

      ND

      Ho

      <0.005

      <2

      <80

      ND

      In

      <0.010

      <10

      <80

      <0.5

      La

      <0.005

      <1

      <4000

      ND

      Li

      <0.020

      <1

      <5

      <0.5

      Mn

      <0.005

      <0.5

      <5

      <0.06

      Ni

      <0.005

      <2

      <20

      <0.5

      Pb

      <0.005

      <10

      <20

      <0.5

      Se

      <0.10

      <10

      <1000

      <1.0

      Tl

      <0.010

      <10

      <40

      <1.5

      U

      <0.010

      <20

      <100000

      ND

      Y

      <0.005

      <0.5

      <500

      ND

      Zn

      <0.02

      <0.5

      <2

      <0.01

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